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  • 大陽日酸

    大陽日酸から見た半導体半導体

    オンサイト式プラントであるSC(サンソセンター)第1号として周南工場(現 周南酸素(株))を開設。川崎工場で半導体材料ガスの生産を開始。大陽日酸 フレッシュアイペディアより)

  • 三洋電機

    三洋電機から見た半導体半導体

    2004年(平成16年)10月23日に発生した新潟県中越地震によって、子会社の新潟三洋電子(後の三洋半導体製造⇒オン・セミコンダクター新潟)の半導体製造工場が被災、地震保険に未加入だったことから500億円を超える損害がほぼそのまま損失として計上されたほか、デジタルカメラの単価下落などの煽りを受けて、同年度は大幅な減収減益となった。2005年3月決算は1715億円の当期赤字。三洋電機 フレッシュアイペディアより)

  • コヒーラ検波器

    コヒーラ検波器から見た半導体半導体

    また微視的には、コヒーアの開始(導通の開始)はショットキー接合部の格子欠陥によるヒステリシス現象による。すなわち金属化合物膜は微細孔を多く持つ薄膜、すなわち半導体であり、その微細孔の内側表面には多くの格子欠陥があり、集中した電流によって発生する、ショットキー障壁を越えた余分なエネルギーを持つ電子によって、金属化合物の価電子帯から励起された電子がこの格子欠陥部に形成された高密度の界面準位にトラップ、このトラップされた電子の持つ電荷により、ショットキー障壁はトンネル効果の発生する厚さ以下となり、いわゆるトンネルリングスポットを通して通電するようになるためであることがわかった。また微小な接触部分に生じる金属接合についても、従来の仮説(溶着現象)が実験によりほぼ確かめられている。コヒーラ検波器 フレッシュアイペディアより)

  • ダイヤモンド

    ダイヤモンドから見た半導体半導体

    バンドギャップは室温で5.47 eVであり、真性半導体として絶縁体だが、不純物を添加することによる不純物半導体化の試みがなされ、ホウ素添加によりp形、リン添加によりn形が得られている。その物性により、現在よりもはるかに高周波・高出力で動作する半導体素子や、バンドギャップを反映した深紫外線LEDが実現できるのではないかと期待されてきた。現在、自由励起子による波長235 nmの発光がダイヤモンドpn接合LEDにより、物質・材料研究機構と産業技術総合研究所から報告されている。バンドギャップの温度依存性については報告があるが、半経験則による計算式で用いられているデバイ温度については、負の値があてがわれたり、式自体を意味のあるデバイ温度を用いるために修正したりして報告されており、未解決になっている。p形半導体ダイヤモンドでは、ホウ素添加濃度が1021 cm−3以上で極低温で超伝導となることが報告され、半導体による超伝導現象として現在盛んに研究されている。また、1019 cm−3以上では電気伝導がバンド伝導からホッピング伝導、そして濃度の上昇とともに活性化エネルギーがほとんどない金属的伝導になることが知られている。この不純物濃度と不純物準位との相関についても、不純物バンドやモットの金属・非金属転移と絡めて研究が進んでいる。このような半導体としての基礎的な議論が可能となってきた現在のダイヤモンドの半導体としての品質はシリコンと互角であると言えるが、制御性は今後の研究開発がさらに必要である。ダイヤモンド フレッシュアイペディアより)

  • 炭化ケイ素

    炭化ケイ素から見た半導体半導体

    ダイヤモンドの弟分、あるいはダイヤモンドとシリコンの中間的な性質を持ち、硬度、耐熱性、化学的安定性に優れることから、研磨材、耐火物、発熱体などに使われ、また半導体でもあることから電子素子の素材にもなる。結晶の光沢を持つ、黒色あるいは緑色の粉粒体として、市場に出る。炭化ケイ素 フレッシュアイペディアより)

  • 半導体素子

    半導体素子から見た半導体半導体

    半導体素子とは、半導体(英:semiconductor)による素子である。半導体部品とは半導体による部品(電子部品)のことである。半導体素子 フレッシュアイペディアより)

  • ナノテクノロジー

    ナノテクノロジーから見た半導体半導体

    ナノテクノロジーの別の技法のグループとして、ナノワイヤ製造など半導体製造で使われている、遠紫外線リソグラフィ、電子線リソグラフィ、集束イオンビーム加工、ナノインプリント・リソグラフィ、原子層堆積法、分子気相成長法、ジブロック共重合体を使った分子セルフアセンブリ法などがある。しかし、これらはナノテクノロジーの研究成果としてナノテクノロジーから生み出されたものではなく、それ以前からの科学技術の発展の中で自然に生まれたものがほとんどである。ナノテクノロジー フレッシュアイペディアより)

  • 空乏層

    空乏層から見た半導体半導体

    空乏層(くうぼうそう、depletion layer)とは、半導体のPN接合などでみられる、キャリアがほとんどなく、電気的に絶縁された領域のこと。欠乏層とも言う。空乏層 フレッシュアイペディアより)

  • pn接合

    pn接合から見た多数キャリア半導体

    pn接合に順方向バイアス(p型側に正電圧)を印加すると、図のように空乏層の内蔵電位(拡散電位)が減少し、ポテンシャルの釣り合いが崩れて拡散電流が増加し、電流が流れる。電極からn型、p型それぞれの領域に注入された電子と正孔(多数キャリア)は接合領域にて再結合する。通常のシリコン・ダイオードの場合、接合面を通過してさらに10〜100μm程度の領域まで(少数キャリアとして)注入される。pn接合 フレッシュアイペディアより)

  • pn接合

    pn接合から見た少数キャリア半導体

    pn接合に順方向バイアス(p型側に正電圧)を印加すると、図のように空乏層の内蔵電位(拡散電位)が減少し、ポテンシャルの釣り合いが崩れて拡散電流が増加し、電流が流れる。電極からn型、p型それぞれの領域に注入された電子と正孔(多数キャリア)は接合領域にて再結合する。通常のシリコン・ダイオードの場合、接合面を通過してさらに10〜100μm程度の領域まで(少数キャリアとして)注入される。pn接合 フレッシュアイペディアより)

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