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  • 半導体

    半導体から見たイオン

    室温では、キャリアが不純物原子から受ける束縛を離れて結晶中を動ける状態にある。言い方を変えれば、ドナーとアクセプターの原子は多くがイオン化しているが、温度が低下すると熱励起も弱くなり、不純物原子のクーロン引力による束縛の影響が相対的に大きくなる。キャリアが束縛を離れている温度の領域を飽和領域、あるいは出払い領域といい、キャリアが束縛を受ける温度領域を不純物領域という。また、温度を上昇させると価電子までもが熱励起され、キャリアの供給源となり、この温度領域を真性領域と呼ぶ。半導体素子として利用する場合は飽和領域が利用される。半導体 フレッシュアイペディアより)

  • 半導体

    半導体から見た絶縁体

    半導体(はんどうたい)とは、電気をよく通す電気伝導体や通さない絶縁体に対して、それらの中間的な性質を示す物質である。半導体 フレッシュアイペディアより)

  • 半導体

    半導体から見た電気伝導

    電気をどの程度通すかという電気伝導性を周囲の電場や温度によって敏感に変化させる性質は、今日の電子機械にとって重要であり、電子工学で使用されるICのような半導体素子はこの半導体の性質を利用している。半導体 フレッシュアイペディアより)

  • 半導体

    半導体から見たドープ

    多くの場合、半導体として機能させるには純粋な真性半導体のままでは電気伝導性が低いため、ドーパントと呼ばれる微量の添加物を混ぜて不純物半導体とする。このドープを厳密に調整して行なうことで電子や正孔であるキャリアの密度を上げ、電子部品用半導体として最適の特性を持つように製造される。p型とn型のいずれの半導体でも、必ず伝導電子と正孔を持っており、ドープされた物質の電子軌道による差から、これらの存在量がどちらか一方に、多くの場合は数桁以上の比で偏っている。つまり、多数キャリアが電子か正孔のどちらであるかによって、n型とp型に区別される。半導体 フレッシュアイペディアより)

  • 半導体

    半導体から見た真性半導体

    多くの場合、半導体として機能させるには純粋な真性半導体のままでは電気伝導性が低いため、ドーパントと呼ばれる微量の添加物を混ぜて不純物半導体とする。このドープを厳密に調整して行なうことで電子や正孔であるキャリアの密度を上げ、電子部品用半導体として最適の特性を持つように製造される。p型とn型のいずれの半導体でも、必ず伝導電子と正孔を持っており、ドープされた物質の電子軌道による差から、これらの存在量がどちらか一方に、多くの場合は数桁以上の比で偏っている。つまり、多数キャリアが電子か正孔のどちらであるかによって、n型とp型に区別される。半導体 フレッシュアイペディアより)

  • 半導体

    半導体から見たヒ化ガリウム

    より厳密には、半導体とは、価電子帯の部分の状態密度が完全に電子で詰まった充満帯となっており、一方、伝導帯は空(空帯)で、価電子帯と伝導帯の間にバンドギャップが存在する状態、またはその状態を示す物質である。同じようにバンドギャップが存在する絶縁体に比べて、半導体はバンドギャップがより狭いことでよく区別されるが、厳密には不純物によって電気伝導率を制御できるかどうかによって区別されるべきであり、例えば、ダイヤモンドは絶縁体として扱われることがあるが、ダイヤモンドは実験値で室温で約5.47 eVのバンドギャップを持つ半導体であり、ダイヤモンドや窒化アルミニウムはワイドバンドギャップ半導体と総称される。通常、半導体として扱われる物質のバンドギャップは、シリコンで約1.1 eV、ゲルマニウムで約0.67 eV、ヒ化ガリウム化合物半導体で約1.4 eV。発光ダイオードなどではもっと広いものも使われ、リン化ガリウムでは約2.3 eV、窒化ガリウムでは約3.4 eVである。現在では、ダイヤモンドで5.27 eV、窒化アルミニウムで5.9 eVの発光ダイオードが報告されている。半導体 フレッシュアイペディアより)

  • 半導体

    半導体から見たバンドギャップ

    より厳密には、半導体とは、価電子帯の部分の状態密度が完全に電子で詰まった充満帯となっており、一方、伝導帯は空(空帯)で、価電子帯と伝導帯の間にバンドギャップが存在する状態、またはその状態を示す物質である。同じようにバンドギャップが存在する絶縁体に比べて、半導体はバンドギャップがより狭いことでよく区別されるが、厳密には不純物によって電気伝導率を制御できるかどうかによって区別されるべきであり、例えば、ダイヤモンドは絶縁体として扱われることがあるが、ダイヤモンドは実験値で室温で約5.47 eVのバンドギャップを持つ半導体であり、ダイヤモンドや窒化アルミニウムはワイドバンドギャップ半導体と総称される。通常、半導体として扱われる物質のバンドギャップは、シリコンで約1.1 eV、ゲルマニウムで約0.67 eV、ヒ化ガリウム化合物半導体で約1.4 eV。発光ダイオードなどではもっと広いものも使われ、リン化ガリウムでは約2.3 eV、窒化ガリウムでは約3.4 eVである。現在では、ダイヤモンドで5.27 eV、窒化アルミニウムで5.9 eVの発光ダイオードが報告されている。半導体 フレッシュアイペディアより)

  • 半導体

    半導体から見た電荷

    半導体中における電荷の移動の担い手である伝導電子と正孔は合わせてキャリア(carrier、担体)と呼ばれる。これら2種のキャリアは電圧を加えられることで互いに反対方向に移動し、継続的に流れれば電流となる。半導体 フレッシュアイペディアより)

  • 半導体

    半導体から見たムーアの法則

    ムーアの法則の代表例として頻繁に用いられる。半導体 フレッシュアイペディアより)

  • 半導体

    半導体から見たヒ素

    n型半導体(negative semiconductor)とは、電圧がかけられると伝導電子や自由電子、ほとんど自由な電子とも呼ばれる電子の移動によって電荷が運ばれる半導体である。価数の多い元素をドーピングすることで作られる。例えばシリコンやゲルマニウム(4価の元素)の結晶に、ヒ素などの5価の原子を混ぜることでn型となる。半導体 フレッシュアイペディアより)

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