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  • 半導体

    半導体から見た東工大

    1950年4月3日には東工大で開催された日本物理学会分科会で、トランジスタに関する日本で最初のシンポジウムが開催され、電気試験所から分割された逓信省電気通信研究所の岩瀬、浅川は、高純度ゲルマニウム単結晶を使用した点接触型トランジスタの試作、動作確認に日本で初めて成功した。半導体 フレッシュアイペディアより)

  • 半導体

    半導体から見たエドウィン・ホール

    1878年にエドウィン・ホールは磁場のない時には等電位の部分が、磁場を印加すると電位差(ホール電圧)を生じるホール効果を発見した。半導体 フレッシュアイペディアより)

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    半導体から見たウェスタン・エレクトリック

    1947年11月17日から1947年12月23日にかけてベル研究所でゲルマニウムのトランジスタの実験を試み、1947年12月16日に増幅作用が確認された。増幅作用の発見から1週間後の1947年12月23日がベル研究所の公式発明日となる。特許出願は、1948年2月26日にウェスタン・エレクトリック社によってジョン・バーディーンとウォルター・ブラッテンの名前で出願された。同年6月30日に新聞で発表された。この素子の名称はTransfer Resistorの略称で、社内で公募され、キャリアの注入でエミッターからコレクターへ電荷が移動する電流駆動型デバイスが入力と出力の間の転送(transfer)する抵抗(resistor)であることから、J.R.Pierseが「trans-sistor」としたことに由来する。半導体 フレッシュアイペディアより)

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    半導体から見たフェアチャイルドセミコンダクター

    1952年5月7日に集積回路の原型はイギリスのレーダー科学者によって概念が発表されたものの、当時は製造技術が未熟で実現には至らなかった。その後、テキサス・インスツルメンツのジャック・キルビーによって「Miniaturized electronic circuits」は1959年2月に出願され、1964年6月にが登録された。フェアチャイルドセミコンダクターのロバート・ノイスの考案した「Semiconductor device-and-lead structure」は1959年7月に出願され、1961年4月にが登録された。半導体 フレッシュアイペディアより)

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    半導体から見た集積回路

    電子工学で使用されるICのような半導体素子はこの半導体の性質を利用している。半導体 フレッシュアイペディアより)

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    半導体から見たゲルマニウム

    IV族半導体:Si、Geなど半導体 フレッシュアイペディアより)

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    半導体から見たケイ素

    半導体(はんどうたい、)とは、電気伝導性の良い金属などの導体(良導体)と電気抵抗率の大きい絶縁体の中間的な抵抗率をもつ物質を言う(抵抗率だけで半導体を論じるとそれは抵抗器と同じ特性しか持ち合わせない)。代表的なものとしては元素半導体のケイ素(Si)などがある。半導体 フレッシュアイペディアより)

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    半導体から見たベル研究所

    1938年にベル研究所のウィリアム・ショックレーとA. Holdenは半導体増幅器の開発に着手した。半導体 フレッシュアイペディアより)

  • 半導体

    半導体から見た半導体素子

    電子工学で使用されるICのような半導体素子はこの半導体の性質を利用している。半導体 フレッシュアイペディアより)

  • 半導体

    半導体から見たトランジスタ

    具体的には、p型半導体とn型半導体をpn接合したダイオードや、n型半導体をp型半導体で挟んだ、もしくはp型半導体をn型半導体で挟んだトランジスタなどがある。太陽電池もpn接合を用いている。半導体 フレッシュアイペディアより)

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