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  • 半導体

    半導体から見た電気伝導率

    より厳密には、半導体とは、価電子帯の部分の状態密度が完全に電子で詰まった充満帯となっており、一方、伝導帯は空(空帯)で、価電子帯と伝導帯の間にバンドギャップが存在する状態、またはその状態を示す物質である。同じようにバンドギャップが存在する絶縁体に比べて、半導体はバンドギャップがより狭いことでよく区別されるが、厳密には不純物によって電気伝導率を制御できるかどうかによって区別されるべきであり、例えば、ダイヤモンドは絶縁体として扱われることがあるが、ダイヤモンドは実験値で室温で約5.47 eVのバンドギャップを持つ半導体であり、ダイヤモンドや窒化アルミニウムはワイドバンドギャップ半導体と総称される。通常、半導体として扱われる物質のバンドギャップは、シリコンで約1.1 eV、ゲルマニウムで約0.67 eV、ヒ化ガリウム化合物半導体で約1.4 eV。発光ダイオードなどではもっと広いものも使われ、リン化ガリウムでは約2.3 eV、窒化ガリウムでは約3.4 eVである。現在では、ダイヤモンドで5.27 eV、窒化アルミニウムで5.9 eVの発光ダイオードが報告されている。半導体 フレッシュアイペディアより)

  • 半導体

    半導体から見たSiC

    IV族化合物半導体:SiC、SiGeなど半導体 フレッシュアイペディアより)

  • 半導体

    半導体から見た窒化ガリウム

    より厳密には、半導体とは、価電子帯の部分の状態密度が完全に電子で詰まった充満帯となっており、一方、伝導帯は空(空帯)で、価電子帯と伝導帯の間にバンドギャップが存在する状態、またはその状態を示す物質である。同じようにバンドギャップが存在する絶縁体に比べて、半導体はバンドギャップがより狭いことでよく区別されるが、厳密には不純物によって電気伝導率を制御できるかどうかによって区別されるべきであり、例えば、ダイヤモンドは絶縁体として扱われることがあるが、ダイヤモンドは実験値で室温で約5.47 eVのバンドギャップを持つ半導体であり、ダイヤモンドや窒化アルミニウムはワイドバンドギャップ半導体と総称される。通常、半導体として扱われる物質のバンドギャップは、シリコンで約1.1 eV、ゲルマニウムで約0.67 eV、ヒ化ガリウム化合物半導体で約1.4 eV。発光ダイオードなどではもっと広いものも使われ、リン化ガリウムでは約2.3 eV、窒化ガリウムでは約3.4 eVである。現在では、ダイヤモンドで5.27 eV、窒化アルミニウムで5.9 eVの発光ダイオードが報告されている。半導体 フレッシュアイペディアより)

  • 半導体

    半導体から見た窒化アルミニウム

    より厳密には、半導体とは、価電子帯の部分の状態密度が完全に電子で詰まった充満帯となっており、一方、伝導帯は空(空帯)で、価電子帯と伝導帯の間にバンドギャップが存在する状態、またはその状態を示す物質である。同じようにバンドギャップが存在する絶縁体に比べて、半導体はバンドギャップがより狭いことでよく区別されるが、厳密には不純物によって電気伝導率を制御できるかどうかによって区別されるべきであり、例えば、ダイヤモンドは絶縁体として扱われることがあるが、ダイヤモンドは実験値で室温で約5.47 eVのバンドギャップを持つ半導体であり、ダイヤモンドや窒化アルミニウムはワイドバンドギャップ半導体と総称される。通常、半導体として扱われる物質のバンドギャップは、シリコンで約1.1 eV、ゲルマニウムで約0.67 eV、ヒ化ガリウム化合物半導体で約1.4 eV。発光ダイオードなどではもっと広いものも使われ、リン化ガリウムでは約2.3 eV、窒化ガリウムでは約3.4 eVである。現在では、ダイヤモンドで5.27 eV、窒化アルミニウムで5.9 eVの発光ダイオードが報告されている。半導体 フレッシュアイペディアより)

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